一種高介電常數(shù)Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷的瞬時調控功率激光制備方法，屬于陶瓷材料制備領域。其特征在于，它包括以下步驟采用大功率激光作為直接輻照源原位或掃描輻照Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷坯體，以190～350w/cm#+[2]的低功率密度在30～185s時間內對Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷坯體進行激光輻照預熱；預熱結束后，調節(jié)激光功率密度瞬時升到燒結功率密度值850～ 1405w/cm#+[2]，進行燒結；經(jīng)過25～95s的燒結后，激光關光，樣品冷卻成瓷。本發(fā)明制備的Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷介電常數(shù)顯著提高，介電損耗小，制備時間短，過程易于控制，工藝重復性高，可實現(xiàn)無污染燒結，制備樣品的純度高。